SOAL

SOAL

2.10 Clamper

6.6 Enhancement-Type MOSFET

1).

Yang merupakan Enhancement MOSFET Chanal N adalah?

a. gambar a

b. gambar b

c. gambar c

d. gambar d

2). 

 Yang merupakan Enhancement MOSFET Chanal P adalah?

a. gambar a

b. gambar b

c. gambar c

d. gambar d

3).  contoh Mosfet yang mempunyai konstruksi khusus adalah?

      a. Mosfet Dual Gate ( Mosfet Dua gerbang )

      b. Mosfet Trial Gate ( Mosfet tiga gerbang )

      c.  Mosfet satu gerbang

9.6 JFET Source-Follower (Common-Drain) Coniguration

11.9 High-Frequeny Response - BJT Amplifier

1. Untuk jaringan Fig. 11,44 dengan parameter yang sama seperti pada contoh 11,9, yaitu RS 1 k, R1 = 40 k, R2 10 k, RE 2 k, RC 4 k, RL 2,2 k CS 10 F, CC 1 F, CE 20 F 100, RO, VCC 20 V dengan  penambahan CBE 36 pF, CBC 4 pF, CCE 1 pF, CWi 6 pF, CWo 8 pF . Tentukan fHi dan fHo?

    A. 4 MHz

    B. 6 MHz

    C. 8,6 MHz

    D. 7,4 MHz

        

   Solution

    Jawaban: C

2. Untuk jaringan Fig. 11,44 dengan parameter yang sama seperti pada contoh 11,9, yaitu RS            1k, R1=40k,  R2=10k, RE = 2k, RC=4k, RL=2,2 k, CS=10F, CC=1F, CE=20F 100, RO,                VCC 20V dengan penambahan CBE 36 pF, CBC 4 pF, CCE 1 pF, CWi 6 pF, CWo 8 pF Tentukan  f dan fT ?

     

      A. 252 MHz

      B. 100 MHz

      C. 189 MHz

      D. 980 MHz

      

       Solution

       Jawaban: A

3.  Untuk jaringan Fig. 11,44 dengan parameter yang sama seperti pada contoh 11,9, yaitu RS 1 k      R1      40 k, R2 10 k, RE 2 k, RC 4 k, RL 2,2 k CS 10 F, CC 1 F, CE 20 F 100, RO, VCC 20 V dengan penambahan CBE 36 pF, CBC 4 pF, CCE 1 pF, CWi 6 pF, CWo 8 pF buatlah sketsa respons frekuensi untuk wilayah frekuensi rendah dan tinggi dengan menggunakan hasil contoh 11,9 dan hasil bagian (a) dan (b)

    Solution

    Lihat Gambar. 11,49. Baik f dan fHo akan menurunkan frekuensi cutoff atas di bawah tingkat yang ditentukan oleh fHi. f lebih dekat dengan fHi dan karena itu akan memiliki dampak yang lebih besar daripada fHo. Dalam setiap peristiwa, bandwidth akan kurang dari yang didefinisikan semata-mata oleh fHi. Bahkan, untuk parameter jaringan ini frekuensi cutoff atas akan relatif dekat dengan 600 kHz.

16.8 Class C and Class D amplifier

20.2 Dioda Schottky Barrier (Hot-Carrier) Diode

1.       Pada diode junction, sisi-P mempunyai …

a.       10 hole

b.      Sedikit hole

c.       Banyak hole

d.      Banyak proton

e.      Banyak electron

Jawaban : C

2.       Pada dioda, bila terminal negatif sumber dihubungkan  dengan bahan tipe-n, dan terminal positif dengan bahan tipe-p, hubungan ini disebut dengan…

a.       Forward bias

b.      Tanpa bias

c.       Reserve bias

d.      Bias semu

e.      Bias nyata

Jawaban : A

3.       Dioda yang bekerjanya lebih baik pada daerah breakdown adalah dioda…

a.       Zener

b.      Foto diode

c.       Schottky

d.      LED

e.      Seven segmen

Jawaban : A